臺式掃描電鏡和透射電鏡有哪些相似點和不同點呢，今天小編就帶大家簡單了解一下。

 一、掃描電鏡和透射電鏡設備的不同點：

臺式掃描電鏡使用—組特定的線圈以光柵樣式掃描樣品并收集散射的電子。

透射電鏡是使用透射電子，收集透過樣品的電子。因此，透射電鏡提供了樣品的內部結構，如晶體結構，形態和應力狀態信息，而掃描電鏡則提供了樣品表面及其組成的信息。

二、臺式掃描電鏡和透射電鏡操作上的差異

這兩種電子顯微鏡在系統操作方式上也有所不同。sem掃描電鏡通常使用15kV以上的加速電壓，而透射電鏡可以將其設置在60-300kV的范圍內。

與掃描電鏡相比，透射電鏡提供的放大倍數也相當高:透射電鏡可以將樣品放大5000萬倍以上，而對于sem掃描電鏡來說，限制在1-2百萬倍之間。

掃描電鏡可以實現很大的視場，遠大于透射電鏡，用戶可以只對樣品的一小部分進行成像。同樣，sem掃描電鏡系統的景深也遠高于透射電鏡系統。

三、掃描電鏡和透射電鏡對樣品的要求

 1、掃描電鏡對樣品的要求

 掃描電鏡制樣對樣品的厚度沒有特殊要求，可以采用切、磨、拋光等方法將特定剖面呈現出可以觀察的表面就可以。這樣的表面如果直接觀察，看到的只有表面加工損傷，一般要利用不同的化學溶液進行擇優腐蝕，才能產生有利于觀察的襯度。不過腐蝕會使樣品失去原結構的部分真實情況，同時引入部分人為的干擾，對樣品中厚度很小的薄層來說，造成的誤差更大。

2、透射電鏡對樣品的要求

由于透射電鏡得到的顯微圖像的質量強烈依賴于樣品的厚度，因此樣品觀測部位要非常的薄，例如存儲器器件的透射電鏡樣品一般只能有10～100nm的厚度，這給透射電鏡制樣帶來很大的難度。初學者在制樣過程中用手工或者機械控制磨制的成品率不高，一旦過度削磨則使該樣品報廢。透射電鏡制樣的另一個問題是觀測點的定位，一般的制樣只能獲得10mm量級的薄的觀測范圍，這需要在精確定位分析的時候，目標往往落在觀測范圍之外。目前比較理想的解決方法是通過聚焦離子束刻蝕(FIB)來進行精細加工。

上面幾點內容就是小編給大家介紹的臺式掃描電鏡和透射電鏡的幾點區別。更多關于掃描電鏡的問題您可以網站留言或是電話咨詢小編。下期分享內容再見！